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                                半導體
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                                近年來芯片產業的快速發展,高集成度和高性能的半導體芯片需求不斷增長。半導體產業鏈主要集中在硅片制備、晶圓制造、封裝測試環節,目前制程中的高端設備多依賴進口,導致產品成本居高不下,半導體零部件生產商亟待替代進口、并達到行業領先水準的國產化設備。 隨著晶圓集成度大幅提高,晶圓趨向于輕薄化,傳統刀輪切割有一定的局限性,它直接作用在減薄后的晶圓上,會產生較大的熱影響和切割缺陷,如崩缺、裂紋、鈍化、金屬層掀起等缺陷,因此,需要采用加工熱影響小、加工精度和效率高的激光工藝。 此外,在40nm以下的高端Low-k晶圓加工中,采用傳統砂輪切割工藝也很難加工,而超快激光極高的峰值功率,是一種先進的非接觸式、“冷” 加工工藝,能將Low-k層瞬間汽化,沒有中間過程,從而極大的減少熱影響區,達到去除效果,再通過砂輪或者激光方式進行晶圓的切割。 華工激光全面布局半導體行業,為您提供涵蓋半導體晶圓后道工藝制程的解決方案和行業專機,如晶圓激光退火、晶圓解鍵合、晶圓切割、晶圓標刻等多種激光應用技術,滿足半導體企業的不同需求。
                                • 晶圓劃片應用 晶圓劃片應用

                                  半導體行業中,晶圓越來越向輕薄化和大尺寸方向發展,激光加工已替代傳統切割方式,利用超快紫外激光進行表面燒蝕切割,其激光聚焦光斑小、熱影響小、切割效率高,廣泛應用于硅基和化合物半導體晶圓的切割。


                                • 晶圓芯片內部改質切割應用 晶圓芯片內部改質切割應用

                                  針對晶圓激光內部改質切割,定制波長光源可在不損傷表面的情況下,改質切割8吋及以上高端、窄切割溝道硅基半導體晶圓芯片,如硅麥芯片、MEMS傳感器芯片、CMOS芯片等。


                                • 晶圓激光開槽應用 晶圓激光開槽應用

                                  利用超短脈沖激光加工Low-K晶圓,能夠有效減小崩邊脫層和熱影響,提高開槽效率,適用范圍可拓展至背金硅晶圓、硅基氮化鎵晶圓、鉭酸鋰晶圓以及氮化鎵晶圓切割等。


                                • 晶圓激光標記應用 晶圓激光標記應用

                                  借助激光非接觸式加工工藝,保證晶圓在不造成額外損壞的情況下,在晶圓上進行穩定、清晰的標記,同時二維碼讀取識別率高,實現生產流程可追溯。


                                • 半導體缺陷檢測應用 半導體缺陷檢測應用

                                  半導體產業鏈中眾多環節都需要檢測把關,從半導體原片、外延片的尺寸和平面度,到外觀宏觀缺陷,再到半導體有圖形晶圓、晶粒的微觀缺陷,都需要在生產過程和出廠時進行視覺檢測和質量控制。


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